三星是仅次于台积电的全球第半导体芯片制造公司。三星代工和台积电是唯一能够开发 3nm 芯片的芯片制造公司。然而，英特尔计划到 2025 年凭借 18A(1.8 纳米)半导体芯片超越这两家公司。

在 14 纳米和 10 纳米半导体芯片制造节点落后多年后，英特尔去年透露计划重新专注于改进其工艺。上周，英特尔首席执行官帕特·基辛格(通过 Ben Bajarin)重申了这一目标，并表示该公司仍计划到 2025 年开始制造 18A 芯片。基辛格表示：“我们已经 进行了 2.5 年的转型。现在，在重建公司方面，事情已经按照我当时的预期进行了。您不必对我们实现这一目标的能力抱有更大的怀疑。”

英特尔欲用1.8纳米半导体芯片超越三星代工和台积电

Intel 18A 芯片制造工艺路线图时间表

英特尔已经使用其英特尔 7(相当于三星代工和台积电的 7 纳米)工艺来制造 Alder Lake、Raptor Lake 和 Sapphire Rapids 芯片。该公司表示，已准备好开始使用其Intel 4(相当于4nm)工艺节点大规模生产芯片，并将用于制造Intel的Meteor Lake芯片和一些定制ASIC芯片。到今年年底，英特尔的 3nm 工艺将准备好制造 Granite Rapids 和 Sierra Forest 数据中心芯片。

2024年上半年，英特尔计划保持英特尔20A(2nm相当于三星代工和台积电)准备制造2nm芯片。英特尔的Arrow Lake芯片将采用这款英特尔20A工艺。该公司计划在 2024 年下半年保持其英特尔 18A(1.8nm)半导体芯片制造工艺就绪，该工艺可能会在 2025 年被一些公司使用。事实上，在上周的德意志银行会议上，Pat Gelsinger声称该公司已经收到一家公司1.8nm芯片的大笔预付款。