三星正在寻求利用其丰富多样的收入来源，并打算在未来加大对内存技术的投资。该公司近日宣布(在新标签中打开)它不会减少在新内存技术上的资本支出，包括最终将用于未来最佳显卡的GDDR7和用于最佳SSD的超高层V-NAND。尽管市场状况放缓，但它也不打算减少制造业。

该公司相信，其支出计划对于确保在技术上领先于竞争对手、同时巩固其作为领先存储芯片制造商的地位是必要的。为此，三星正在押注下一代制造工艺，该工艺将允许扩展DRAM、VRAM和最新、最密集的NAND中的内存密度，从而为未来的数据密集型工作负载提供动力。

在DRAM领域，该公司宣布其最新的第五代10纳米级制造(1b)将于2023年开始量产芯片。正在对采用新图案、材料和架构的亚10纳米DRAM制造进行探索性研究包括High-K门的设计。三星领先于大多数竞争对手，后者通常在14纳米级节点上制造DRAM芯片。

三星的下一代GDDR7内存肯定会为未来的图形加速器增光添彩，它已经投入生产。它提供高达36Gbps的速度，是GDDR6的18Gbps的两倍。在这些数据速率下，384位内存总线将能够提供大约1.728TB/s的带宽——与即将推出的RTX4090相比大幅增加1TB/s带宽。这将确保GPU制造商在不必增加总线宽度的情况下拥有足够的带宽储备，因为这将导致更昂贵的PCB并可能对定价产生更严重的影响。

至于NAND，三星是无可争议的山中之王，该公司现在正在设计其第9代和第10代V-NAND并进行原型设计，与当今的技术相比，层密度适当增加。三星现在正在出货其第7代176层V-NAND，并计划在年底前发布基于其第8代230层设计的V-NAND芯片。后者将通过512Gb芯片提供42%的密度增加。

但三星正着眼于更显着的密度跳跃，并预计到2030年实现1000层V-NAND设计。三星还继续致力于QLC(四级单元)技术，希望在提高性能的同时增加存储位密度。

“即使目前的情况不好，我们也不会改变我们已经制定的路线，”三星执行副总裁兼全球内存销售和营销部门负责人韩进满说。“三星目前没有人谈论削减芯片生产。”

其他几家内存制造商已宣布削减内存产量以应对需求放缓，这种情况部分归因于总体宏观经济形势。需求放缓已经导致内存市场供过于求，美光首席执行官将其描述为“史无前例”，导致该公司在2023财年将资本支出减少30%以上(约80亿美元)，晶圆厂设备支出减少50%。

在日本，铠侠还宣布将内存晶圆产量减少30%，希望这足以吸收库存的库存。两家公司都试图扭转NAND定价的下行压力，该压力在2022年全年都受到打击年底前将出现更多削减。

相比之下，三星选择加倍巩固其技术领先地位，尽管其竞争对手正在通过减少产量来进行安全游戏。公平地说，三星的多个部门和收入流在一定程度上使其免受周期性市场和需求状况的影响，因此更多的是谁能做到这一点，而不是简单地、盲目地坚持下去。由于明显拒绝降低制造产量，三星最终可能会帮助DIY爱好者。该公司还认为，通过坚持投资路线图，可以扩大与竞争对手的技术差距。