2月，在第70届IEEE国际固态电路会议(ISSCC)期间，SK海力士展示了包含300多个有源层的新型第八代3DNAND芯片的细节，令与会者大吃一惊。SK海力士在会议上发表的题为“高密度存储器和高速接口”的论文描述了该公司将如何提高固态硬盘的性能，同时降低单个TB的成本。新的3DNAND将在两年内首次亮相市场，并有望打破记录。

SK海力士揭示了具有更快数据吞吐量和更高存储级别的第8代3DNAND存储器的开发

新的第八代3DNAND内存将提供1TB(128GB)存储容量，呈现三级单元、20Gb/mm²位密度、16KB页大小、四个平面和2400MT/s接口。最大数据吞吐量将达到194MB/s——比之前的238层和164MB/s速率的第七代3DNAND高出18%。加速的输入和输出将有助于提高数据吞吐量，并有助于PCIe5.0x4或更高的接口利用率。

图片来源：SKHynix来自Tom'sHardware

该公司的研发团队检查了五个领域以实施新的第八代3DNAND技术：

三重验证程序(TPGM)功能可缩小单元阈值电压分布并将tPROG(编程时间)减少10%，从而转化为更高的性能

AdaptiveUnselectedStringPre-Charge(AUSP)-另一种将tPROG降低约2%的程序

全通上升(APR)方案可将tR(读取时间)降低约2%并缩短字线上升时间

编程虚拟串(PDS)技术可通过降低通道电容负载来缩短tPROG和tR的世界线稳定时间

平面级读取重试(PLRR)功能，允许在不终止其他平面的情况下更改平面的读取级别，因此，立即发出后续读取命令并提高服务质量(QoS)，从而提高读取性能

由于SK海力士的新产品还在开发中，SK海力士何时投产还不得而知。根据ISSCC2023会议上的公告，可以推测该公司比公众意识到的更接近于与合作伙伴开始大规模或部分生产。

该公司尚未透露生产最新一代3DNAND的时间表。尽管如此，分析师仍预计该公司最早会在2024年出现变化，最迟在次年出现。唯一会停止开发的问题是，如果资源大规模不可用，这将停止整个公司和其他公司的所有生产。