场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种基于电压控制的电子器件，广泛应用于模拟和数字电路中。与双极型晶体管不同，场效应管主要通过改变半导体表面的电场来控制电流，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好等优点。

场效应管的基本结构

场效应管主要分为两种类型：结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（IGFET，也称为MOSFET）。这里我们主要讨论绝缘栅场效应管（MOSFET），因为它们在现代电子设备中更为常见。

MOSFET由四个部分组成：

1. 源极（Source, S）：是载流子进入器件的地方。

2. 漏极（Drain, D）：是载流子离开器件的地方。

3. 栅极（Gate, G）：通过施加电压来控制电流流动。

4. 衬底（Substrate）：通常是P型硅材料，用于形成反型层。

工作原理

MOSFET的工作原理基于电荷感应机制。当栅极相对于源极施加一个足够大的正向电压时，在栅极下方的半导体表面会形成一个反型层，使得漏极和源极之间的导电通道被打开，从而允许电流从漏极流向源极。反之，如果栅极电压低于某个阈值，则反型层消失，电流被切断。

耗尽型和增强型

- 耗尽型MOSFET：即使在没有栅极电压的情况下，也有一定的导电通道存在。

- 增强型MOSFET：只有当栅极电压超过一定阈值时，才会形成导电通道。

应用

场效应管因其高输入阻抗、低噪声和良好的温度稳定性，在放大器、开关电路、电源管理等领域有着广泛应用。特别是MOSFET，由于其制造工艺简单且易于集成，已成为现代集成电路中的核心组件之一。

总之，场效应管通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流，从而实现信号放大或开关功能。